參考資料
中國晶片出口管制 — 時間軸
2019 年以來的半導體出口管制與反制措施，逐項標註日期並註明發布機關。僅收錄正式公告與法規，不將分析師解讀列為事實。
條目查核至 31 December 2024
時間軸
- 中國
鎵、鍺、銻禁止輸美
美方擴大管制次日，中國將這些材料對美出口自許可制改為全面禁止，並收緊石墨審查。間隔一天本身即是訊息。
- 美國
HBM 管制與實體清單大幅擴增
將高頻寬記憶體納入管制，該元件是 AI 加速器可用性的關鍵，同時新增半導體設備項目並大幅擴增實體清單。
- 中國
石墨出口管制生效
許可制延伸至高純度人造石墨與天然鱗片石墨，為鋰電池負極的主要材料。
- 美國
10 月 7 日規則收緊
堵住輝達 A800、H800 等刻意設計於 2022 年門檻之下的產品缺口，並以運算密度標準取代原本的互連頻寬標準。
- 中國
鎵、鍺出口管制
自 2023 年 8 月 1 日起，鎵與鍺化合物出口須申請許可。兩者為化合物半導體、紅外光學與光纖的原料，全球初級產量大部分來自中國。
- 中國
美光被禁用於關鍵基礎設施
中國網信辦認定美光產品存在網路安全風險，禁止關鍵資訊基礎設施營運者採購。此為中國首次對美國晶片商採取實質反制。
- 荷蘭
荷蘭宣布先進 DUV 設備許可制
將艾司摩爾先進浸潤式 DUV 系統納入國家出口許可，與美國措施同步。日本同年宣布類似限制。
- 美國
10 月 7 日管制措施
關鍵轉折。限制先進運算晶片與半導體製造設備，並罕見地禁止美國人在未經許可下協助中國先進製程。此前措施針對企業，此次針對能力本身。
- 美國
中芯國際列入實體清單
中國最大晶圓代工廠受限，10 奈米及以下製程設備原則上不予許可。
- 美國
外國直接產品規則延伸至華為晶片設計
將美國管轄權延伸至海外以美國設備或軟體製造的晶片。實際效果是切斷華為與台積電的往來，這是單純禁止美國原產零件所無法達成的。
- 美國
華為列入實體清單
美國工業與安全局將華為及 68 家關聯企業列入清單，取得美國原產技術須先申請許可。此後十年的管制皆以此為基礎。
脈絡解讀
- 關鍵轉折是 2022 年 10 月 7 日。在此之前的措施限制特定企業；該規則限制的是能力本身，並全面禁止美國人協助中國先進製程。
- 中國的反制集中於上游材料而非成品——鎵、鍺、石墨、銻。這些是中國掌握全球多數初級供給的咽喉點，見效較慢但更難繞過。
- 請注意 2024 年 12 月 2 日與 3 日。美方擴大管制與北京全面禁止出口之間僅隔一天，並非巧合，這組對照最能說明局勢升級的方式。